|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СХЕМА ГЕНЕРИРОВАНИЯ ВНУТРЕННЕГО ПИТАЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2146388 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G05F001/56 H03F001/30 | | Аналоги изобретения: | US 4445083 A, 24.04.84. US 4390833 A, 28.06.83. GB 2046483 A, 12.11.80. EP 0216265 A1, 01.04.87. US 4207538 A, 10.06.80. GB 2199677 A, 13.07.88. EP 0007804 A1, 06.02.80. |
| Имя заявителя: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Изобретатели: | Дзин Тае-Дзе (KR)
Дзеон Дзоон-Янг (KR) | | Патентообладатели: | Самсунг Электроникс Ко., Лтд. (KR) | | Номер конвенционной заявки: | 9659/1991 | | Страна приоритета: | KR |
Реферат | |
Схема генерирования внутреннего питающего напряжения, питающаяся внешним питающим напряжением, включает схему делителя напряжения (80), имеющую первый переменный резистор с более высоким сопротивлением в качестве нагрузочного элемента и второй переменный резистор с более низким сопротивлением в качестве возбуждающего элемента. При повышении температуры сопротивление первого переменного резистора увеличивается и тем самым уменьшается проходящий по нему ток. К выходу схемы делителя напряжения (80) подсоединен блок сравнения (60), который обеспечивает возможность повышения в выходной схеме (70) внутреннего питающего напряжения в ответ на повышение температуры. Технический результат: устройство генерирует устойчивое постоянное внутреннее питающее напряжение, прилагаемое к полупроводниковому запоминающему устройству, независимо от изменений температуры. 3 з.п.ф-лы. 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента