KIM W. et al. An Ultra-Wideband CMOS Low Noise Amplifier for 3-5 GHz UWB System // IEEE Journal of Solid-State Circuits, V 40, N 2, Feb 2005, сс.544-547, фиг.2(а). RU 2365028 C1, 20.08.2009. US 2005/0062540 A1, 24.03.2005. US 2007/0176686 A1, 02.08.2007. US 5015968 A, 14.05.1991.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ") (RU)
Изобретатели:
Коротков Александр Станиславович (RU) Балашов Евгений Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи для построения входного каскада радиоприемных устройств радиочастотного диапазона. Технический результат: расширение рабочей полосы частот усилителя. Высокочастотный широкополосный усилитель (ШУ) содержит первый МОП-транзистор, между затвором которого и входом ШУ подключено последовательное соединение согласующей индуктивности и входного разделительного конденсатора. Первый резистор включен между затвором первого МОП-транзистора и первым источником напряжения смещения. Индуктивность обратной связи подключена между истоком первого МОП-транзистора и общим узлом. Второй МОП-транзистор подключен истоком к стоку первого МОП-транзистора, затвором - к первому источнику питания, а стоком - к первому источнику питания через последовательно соединенные второй резистор и индуктивность нагрузки, причем к узлу подключения первого источника питания подключена индуктивность нагрузки, и к затвору третьего МОП-транзистора. Сток третьего МОП-транзистора соединен со вторым источником питания, а исток соединен с выходом усилителя через выходной разделительный конденсатор и со стоком четвертого МОП-транзистора. Затвор четвертого МОП-транзистора подключен ко второму источнику напряжения смещения, а исток соединен с общим узлом. Третий резистор подключен одним выводом к стоку второго МОП-транзистора, а другим - к первой обкладке конденсатора обратной связи. Вторая обкладка конденсатора обратной связи подключена к узлу соединения входного разделительного конденсатора и согласующей индуктивности, причем согласующая индуктивность соединена с затвором первого МОП-транзистора. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента