RU 2432669 C1, 27.10.2011. SU 644072 A, 15.07.1982. SU 383200 A, 23.05.1973. US 2007/0146078 A1, 28.06.2007.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Крутчинский Сергей Георгиевич (RU) Пахомов Илья Викторович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах ВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ усилителя Q и его коэффициента усиления по напряжению К0 на частоте квазирезонанса f0. Это позволяет уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство ВЧ. Избирательный усилитель содержит источник сигнала, входной транзистор, эмиттер которого связан с первой шиной источника питания, а коллектор соединен с эмиттером первого выходного транзистора и через второй токостабилизирующий двухполюсник соединен со второй шиной источника питания, второй выходной транзистор, база которого соединена с базой и коллектором первого выходного транзистора и через третий токостабилизирующий двухполюсник связана с первой шиной источника питания, четвертый токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером второго выходного транзистора и второй шиной источника питания, пятый токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго выходного транзистора, связанный с выходом устройства и первой шиной источника питания, первый корректирующий конденсатор, шунтирующий выход устройства. Источник сигнала соединен с эмиттером входного транзистора через дополнительный корректирующий конденсатор, база входного транзистора соединена с выходом устройства, который зашунтирован первым дополнительным резистором. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.