|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЛЕНОЧНАЯ RC - СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ |  |
Номер публикации патента: 2140679 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01G004/40 H03H001/02 | | Аналоги изобретения: | Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология микросхем (ГИС и БГИС)/Под ред. Ю.П. Ермолаева: Учебник для вузов. - М.: Сов. радио, 1980, рис.2,3,6. SU 534847 A, 05.11.76. SU 396726 A, 15.01.74. RU 94037886 A1, 20.04.97. DE 9713833 A1, 12.11.87. DE 2222546 B2, 08.03.79. |
| Имя заявителя: | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева | | Изобретатели: | Гильмутдинов А.Х.
Камалетдинов А.Г. | | Патентообладатели: | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике. Может использоваться при создании частотно-избирательных устройств, а также устройств, реализующих частотно-независимые характеристики, в частности широкополосные фазовращатели и аттенюаторы. Пленочная RC-СРП с частотно-независимой ФЧХ содержит последовательно нанесенные на диэлектрическую подложку 1 нижнюю обкладку 2 четырехугольной формы, выполненную в виде слоя резистивного материала с контактными площадками 3, 4, примыкающими к двум смежным сторонам, диэлектрик 5, верхнюю обкладку 6 с контактной площадкой 7, нижняя обкладка 2 которой выполнена выступающей за пределы верхней обкладки 6 с двух смежных сторон 8, к которым примыкают контактные площадки. Изобретение позволяет расширить функциональные возможности и обеспечить постоянные величины фазового сдвига коэффициента передачи по напряжению. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента