На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ГЕНЕРАТОР МОЩНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ | |
Номер публикации патента: 1804271 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H03K003/53 | Аналоги изобретения: | 1. Кардо-Сысоев А.Ф., Чашников И.Г. Полупроводниковый генератор высоковольтных импульсов с емкостной нагрузкой. - ПТЭ 1986, N 1, с.107-109. 2. Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988, с.104-107. 3. Зи С.Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, т.1, с.52-54, 109, т.2, с.156. 4. Авторское свидетельство СССР N 1487774, 1986. |
Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Изобретатели: | Грехов И.В. Ефанов В.М. Кардо-Сысоев А. |
Реферат | |
Изобретение относится к области мощной импульсной техники и может быть использовано в системах питания мощных лазеров, в видеоимпульсной радиолокации и т.д. Оно решает задачу увеличения быстродействия генератора мощных наносекундных импульсов за счет уменьшения времени нарастания и спада напряжения на нагрузке. Генератор мощных наносекундных импульсов, содержит дрейфовый диод с резким восстановлением обратного сопротивления (9), нагрузку (8) и две цепи, каждая из которых содержит последовательно соединенные ключ (2.5), конденсатор (4,5) и индуктивный накопитель энергии (6.7), дополнительный диод (1), причем площадь р-n-перехода дрейфового диода с резким восстановлением обратного сопротивления (S1), толщина его базы (w) и соотношение индуктивностей индуктивных накопителей энергии (L1 и L2) удовлетворяют следующим выражениям: S1≥ S2N2/N1; L1L2/L1+L2≥ E3ε2/3q3N3@1V3@s-S1; w≅ E-ε/q-N1. где N1 - концентрация легирующей примеси в базе дрейфового диода с резким восстановлением; S2, N2 - площадь р-n-перехода и концентрация примеси в базе дополнительного диода; ε, E, Vs -диэлектрическая проницаемость, пороговая напряженность поля, при которой начинается ударная ионизация, и насыщенная скорость носителей тока в материале, из которого выполнен дрейфовый диод с резким восстановлением, соответственно; q - заряд электрона. 1 з. п. ф-лы. 2 ил.
|