Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ

Номер публикации патента: 2121215

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96104678 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K003/26    
Аналоги изобретения: Важенин З.П., Пудриков Э.В. Транзисторные генераторы импульсов миллисекундного диапазона. М.: Сов. Радио, 1974, с. 100. US 4593206 A, 03.06.86. SU 841085 A, 23.06.81. SU 1762387 A2, 15.09.82. 

Имя заявителя: Российский Федеральный Ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ) 
Изобретатели: Рыжаков Е.И.
Шишкин Г.И. 
Патентообладатели: Российский Федеральный Ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ)
Министерство Российской Федерации по атомной энерги 

Реферат


Изобретение относится к импульсной технике. Достигаемый технический результат - расширение допустимого диапазона напряжения питания. Генератор содержит первый 1 и второй 2 транзисторы p-n-p-типа, третий 3 и четвертый 4 транзисторы n-p-n-типа, пять резисторов 5, 6, 7, 10, 11, конденсатор 8 и два диода 12, 13. Эмиттеры первого 1 и четвертого 4 транзисторов соединены соответственно с шиной 9 питания и общей шиной, коллекторы - соответственно с базами второго 2 и третьего 3 транзисторов непосредственно и через первый 5 и второй 6 резисторы с общей шиной и шиной 9 питания соответственно, а базы - с коллекторами соответственно третьего 3 и второго 2 транзисторов, эмиттеры которых через последовательно соединенные третий резистор 7 и конденсатор 8 подключены к общей шине. Между базами первого 1 и четвертого 4 транзисторов и соответственно шиной 9 питания и общей шиной включены четвертый 10 и пятый 11 резисторы соответственно, а между базами второго 2 и третьего 3 транзисторов в направлении, обратном относительно источника питания, включены два последовательно соединенных диода 12 и 13, точка соединения которых является выходной шиной 14. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"