|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ВКЛЮЧЕНИЯ БОЛЕЕ ВЫСОКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЕ И СПОСОБ ЕГО ЭКСПЛУАТАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2127942 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03K003/356 H03K017/10 H03K019/094 | | Аналоги изобретения: | US 5266848, A, 30.11.93. Соклоф С., Аналоговые интегральные схемы. - М.: Мир, 1988, с.455, рис.6.21 а. EP 0082208 A, 29.06.83. US 4568842 A, 04.02.86. |
| Имя заявителя: | Сименс АГ (DE) | | Изобретатели: | Йозеф Виннерл (DE) | | Патентообладатели: | Сименс АГ (DE) | | Номер конвенционной заявки: | 19500393.4 | | Страна приоритета: | DE |
Реферат | |
Для включения высоких положительных или отрицательных напряжений на выходном выводе (А) устройства первый р-канальный транзистор (Р1) и первый n-канальный транзистор (N1) расположены последовательно между выводами (VH1, VL1) для этих обоих напряжений. Затворы обоих транзисторов через нагрузочные участки транзисторов соответственно другого типа (N2, P3) соединены с первым и третьим входным выводом (Е1, Е3). Затворы этих транзисторов соединены с вторым или соответственно четвертым входным выводом (Е2, Е3). Первый р-канальный транзистор и первый n-канальный транзистор (Р1, N1) являются блокируемыми через соответственно включенные между выводами затворов и выводами для высокого положительного или соответственно высокого отрицательного потенциала (VН1, VL1) нагрузочные участки транзисторов соответственно одинакового типа (Р2, N3), затворы которых соединены с выходным выводом (А). В зависимости от потенциала на входных выводах к выходному выводу (А) может подключаться или высокий положительный или соответственно высокий отрицательный потенциал. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента