

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СИЛОВОЙ КЛЮЧ НА МДП - ТРАНЗИСТОРЕ

Номер публикации патента: 2390094

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008114639/09

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H03K017/691
Аналоги изобретения:	US 4694206 А, 15.09.1987. RU 2152127 С1, 27.06.2000. GB 2109184 А, 25.05.1983. US 4511815 А, 16.04.1985.

Имя заявителя:	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Информационные спутниковые системы" им. академика М.Ф. Решетнева (RU)
Изобретатели:	Михеев Павел Васильевич (RU) Квакина Анжелика Анатольевна (RU)
Патентообладатели:	ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Информационные спутниковые системы" им. академика М.Ф. Решетнева (RU)

Реферат

Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. Технический результат: повышение надежности и помехоустойчивости. Достигается тем, что силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, два резистора и транзистор, база-эмиттерный переход которого зашунтирован одним резистором, а эмиттер соединен с началом вторичной обмотки трансформатора, конец которой соединен с истоком МДП-транзистора и через другой резистор с базой транзистора, введен стабилитрон, который включен в стабилизирующем направлении относительно перехода база-коллектор транзистора. 1 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"