Изобретение относится к полупроводниковому устройству, которое включает в себя транзисторы одного типа электропроводности. Технический результат - предотвращение снижения уровня электрического потенциала сигнала. Полупроводниковое устройство состоит из множества транзисторов с каналом n-типа, при этом схема включает в себя: из множества транзисторов транзистор (Т1), включающий в себя контактный вывод стока для приема напряжения VDD, контактный вывод истока и контактный вывод затвора для приема входного сигнала (IN); из множества транзисторов транзистор (Т2), включающий в себя контактный вывод стока для приема напряжения VDD, контактный вывод истока, подключенный к выходному контактному выводу (OUT), и контактный вывод затвора, подключенный к контактному выводу истока транзистора (Т1); и конденсатор (С1), предоставленный между узлом (n1) и контактным выводом (СК) синхросигнала для приема синхросигнала. Синхросигнал, вводимый в контактный вывод (СК) синхросигнала, имеет частоту выше, чем частота выходного сигнала, выводимого из выходного контактного вывода (OUT). 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 47 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента