WO 92/20096 A1, 12.11.1992. RU 2405247 C1, 27.11.2010. JP 2002222572 A, 09.08.2002. RU 2193804 C1, 27.11.2002.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU)
Изобретатели:
Жуков Андрей Александрович (RU) Заводсков Сергей Дмитриевич (RU) Козлов Дмитрий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, а также к нано- и микросистемной технике и может быть использовано в интегральных микросхемах с защитой от электрических и/или тепловых перегрузок. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение надежности защищаемой полупроводниковой интегральной схемы, относительная простота реализации, высокая эффективность защиты от внешних воздействующих факторов импульсного и непрерывного действия, снижение массогабаритных характеристик. Микросхема с микроэлектромеханической защитой от электрических и/или тепловых перегрузок включает по крайней мере одну полупроводниковую интегральную схему, по крайней мере, один подвижной термомеханический микроактюатор, при этом количество полупроводниковых интегральных схем равно количеству подвижных термомеханических микроактюаторов, структуру, чувствительную к внешним воздействующим факторам, например: температура, радиация, тяжелозаряженные частицы, электромагнитный импульс и др., включающую в свой состав полупроводниковые интегральные элементы: биполярные транзисторы, МОП-структуры, выполненные в едином технологическом цикле с полупроводниковой интегральной схемой, расположенные между карманами и/или областями с электронной и дырочной проводимостью. 7 з.п ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента