|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЯ ЭСЛ - КМОП |  |
Номер публикации патента: 2097914 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H03K019/0175 H03K019/02 | | Аналоги изобретения: | M.Matsui, H.Momome, Y.Urakawa et al., An 8-ns 1-Mbit ECL BiCMOS SRAM with Double-Latch ECL-to-CMOS-Level Converters. IEEEJournal of Soltd-State Corcuits, vol. 24, N 5 october 1989, pp. 1226 - 1231, fig. 3. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Игнатьев С.М.
Савенков В.Н.
Темкин Г.С. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Изобретение относится к электротехнике и предназначено для использования в логических устройствах на биполярных и комплементарных МДП-транзисторах, его целью является повышение быстродействия преобразователя уровня ЭСЛ-КМОП, которое достигается введением в устройство первого и второго элементов смещения 19, 20 и изменением связей компонентов, позволившим реализовать в устройстве метод форсированного управления активными p- и n-канальными МДП-транзисторами 13 - 116, при котором воздействие на транзисторы осуществляется одновременно по выходам истока и затвора. Кроме названных компонентов на схеме устройства обозначены переключатель 1 тока, источник 2 тока, нагрузочные резисторы 3 и 4, биполярные n-p-n транзисторы 5 и 6 связи и ключевые биполярные n-p-n транзисторы 7 и 8, прямой и инверсный входы 9 и 10 устройства, выходной каскад 12, n-канальные МДП-транзисторы 17, 18 динамической нагрузки, инверсный и прямой выходы 21 и 22 устройства, шины 11 и 23 положительного и отрицательного напряжений питания 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента