Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента


ОПТИЧЕСКОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Номер публикации патента: 94041070

Вид документа: A1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94041070 
 

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K019/14    

Имя заявителя: Саратовский филиал института радиотехники и электроники РАН 
Изобретатели: Перепелицын Ю.Н. 

Реферат


Изобретение относится к оптоэлектронике, конкретно, к оптическим логическим устройствам, которые могут быть использованы в различных системах обработки оптической информации, интегральной оптике, приборостроении и в системах волоконно-оптической связи. Существующие оптические логические элементы обладают сравнительно невысоким быстродействием и малой глубиной модуляции при выполнении оптических логической операций. Для повышения этих параметров в устройстве, содержащем две последовательно расположенные между тремя поляризаторами полупроводниковые МДПМ структуры, выполненные на основе электрооптического кристалла в виде плавной варизонной гетероотруктуры с p - n-переходом, два источника смещающего напряжения, а также источники управляющего и коммутируемого света, оптически связанные с одним из электродов и плоскостью кристалла, согласно изобретению в упомянутой структуре на внешней поверхности узкозонной области нанесено просветляющее покрытие, а по ее периметру выполнено охранное кольцо и электроды, причем в ее узкозонной области выполнен асимметричный, мелкий p - n-переход, p-слой которого представляет собой сочетание p+-слоя, являющегося электродом, и низкоомного p-слоя, а n-слой является высокоомным, при этом широкозонная область включает в себя высокоомный n-слой и низкоомный слой n+, являющийся электродом, причем каждый из источников управляющего света оптически связан с узкозонной областью одной из структур, а коммутируемый световой поток оптически связан с высокоомной широкозонной областью обеих структур.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"