Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СТРУКТУРА ФИЛЬТРА КОНТУРА УПРАВЛЕНИЯ ДЛЯ УСТРОЙСТВА ФАЗОВОЙ АВТОПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ

Номер публикации патента: 2422985

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010104081/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03L007/02   H03L007/107    
Аналоги изобретения: US 2007/0247236 A1, 25.10.2007. RU 2267860 C2, 10.01.2006. US 6437615 B1, 20.08.2002. EP 1487109 A1, 15.12.2004. 

Имя заявителя: Зайцев Андрей Алексеевич (RU) 
Изобретатели: Зайцев Андрей Алексеевич (RU) 
Патентообладатели: Зайцев Андрей Алексеевич (RU) 

Реферат


Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к фильтру контура управления (ФКУ), предназначенного для использования в составе устройства фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). Технический результат - уменьшение времени переходного процесса в контуре ФАПЧ за счет быстрой перестройки напряжения на ФКУ и, в случае полностью интегральной реализации, уменьшение площади, занимаемой ФКУ на кристалле микросхемы. Достигается тем, что в схему ФКУ, содержащую операционный усилитель ОУ (1), конденсатор (С1) и резисторы (R1) и (R2), введены резистор (R3) и управляемый элемент коммутации (К1). При замыкании элемента коммутации (К1) происходит многократное увеличение тока перезаряда, текущего через конденсатор (С1), и тем самым обеспечивается увеличение скорости перестройки напряжения на ФКУ. За счет переноса на R3 части сопротивления (R1) и (R2) пропорционально уменьшается суммарное значение резисторов и, соответственно, площадь ФКУ, занимаемая на кристалле микросхемы. 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"