SU 748387 A, 17.07.1980. JP 8237505 A, 13.09.1996. JP 9009092 A, 10.01.1997.
Имя заявителя:
ФУНАЙ ЭЛЕКТРИК КО., ЛТД. (JP)
Изобретатели:
СИБАТА Кеиго (JP)
Патентообладатели:
ФУНАЙ ЭЛЕКТРИК КО., ЛТД. (JP)
Приоритетные данные:
19.04.2006 JP 2006-002951U
Реферат
В состав схемы включены полупроводниковый стабилитрон (D2) с наличием катода, соединенного на выходную линию напряжения, делительные резисторы с наличием одного вывода, соединенного с анодом полупроводникового стабилитрона (D2), и наличием заземленного другого вывода, транзистор (Q1), имеющий базу, соединенную с соединительной точкой между резисторами делителя через резистор, и имеющий заземленный эмиттер, транзистор Q2, имеющий базу, соединенную с соединительной точкой между резисторами делителя, и имеющий заземленный эмиттер, и микрокомпьютер с наличием вывода 10а обнаружения пониженного напряжения, который соединен с коллектором транзистора Q1 и на который 3,3 В подаются внешне, и вывода 10b источника питания, который соединен с коллектором транзистора Q2 и через который передается сигнал P-ON-H в 3,3 В, который запускает схему (126) источника питания, когда питание включено. 2 с. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента