Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОДАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НЕУСТОЙЧИВОСТИ НЕОДНОРОДНОЙ ПЛАЗМЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Номер публикации патента: 2427110

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2010112344/07 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H05H001/24    
Аналоги изобретения: Физика плазмы, 2000, т.26, с.340-345. RU 2044361 С1, 20.09.1995. RU 2166240 C2, 27.04.2001. WO 2006009213 A1, 06.01.2006. JP 2004200307 A, 15.07.2004. US 2004/0094094 A1, 03.05.2004. 

Имя заявителя: Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY) 
Изобретатели: Архипенко Валерий Иванович (BY)
Симончик Леонид Васильевич (BY)
Гусаков Евгений Зиновьевич (RU)
Усаченок Максим Сергеевич (BY) 
Патентообладатели: Государственное научное учреждение "Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" (BY) 

Реферат


Изобретение относятся к области плазменной техники, в частности к способам нелинейного взаимодействия мощного электромагнитного излучения с плазмой и нагрева плазмы электромагнитным излучением, а также к устройствам для их осуществления. Технический результат - увеличение эффективности нагрева плазмы. Для подавления абсолютной параметрической неустойчивости в плазме, которая возбуждается при нагреве плазмы СВЧ излучением в области резонанса на плазменной частоте, кроме СВЧ волны накачки в подводящий волновод подается дополнительная СВЧ волна, частота которой больше или меньше частоты СВЧ волны накачки на величину порядка 0.95÷1 МГц, а ее мощность равна 1÷10 мВт и составляет 5÷50% от уровня порога развития абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад, возбуждаемой СВЧ волной накачки, что приводит к подавлению абсолютной параметрической неустойчивости более чем на три порядка величины и, как следствие, к увеличению эффективности нагрева плазмы. Устройство содержит объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, подводящий и принимающий волноводы, генератор СВЧ волны накачки и генератор дополнительной СВЧ волны, узкополосный фильтр, СВЧ детектор, СВЧ тройник, ферритовые вентили. Выход генератора дополнительной СВЧ волны через ферритовый вентиль подключен к входу СВЧ тройника. Выход генератора СВЧ волны накачки через ферритовый вентиль подключен ко второму входу СВЧ тройника. Выход СВЧ тройника соединен с подводящим волноводом, который подводит СВЧ излучение на двух частотах к плазменному объему. Принимающий волновод через ферритовый вентиль подключен к узкополосному фильтру. Выход фильтра подключен к СВЧ детектору, позволяющему контролировать уровень параметрически рассеянного сигнала. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"