GB 2305672 А, 16.04.1997. US 4410598 А, 18.10.1983. RU 2254695 С1, 18.09.2003. RU 2083064 С1, 27.06.1997. SU 1108962 А1, 10.04.1995.
Имя заявителя:
АБ МИКРОЭЛЕКТРОНИК ГЕЗЕЛЛЬШАФТ МИТ БЕШРЕНКТЕР ХАФТУНГ (AT)
Изобретатели:
ХЕГЕЛЕ Бернд (DE)
Патентообладатели:
АБ МИКРОЭЛЕКТРОНИК ГЕЗЕЛЛЬШАФТ МИТ БЕШРЕНКТЕР ХАФТУНГ (AT)
Приоритетные данные:
07.06.2006 AT A973/2006
Реферат
Изобретение относится к схемной подложке с металлическим несущим слоем, на котором по меньшей мере локально расположен диэлектрический слой, причем диэлектрический слой имеет множество пор. Технический результат - повышение электрической изоляционной способности слоя диэлектрического материала, устранение проблемы возникновения коротких замыканий. Достигается тем, что схемная подложка с металлическим несущим слоем, на который по меньшей мере локально нанесен слой диэлектрического материала, причем слой диэлектрического материала имеет множество пор, причем поры (20) по меньшей мере со стороны слоя диэлектрического материала, противоположной несущему слою подложки, заделаны стеклом (9). 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента