RU 2398369 С1, 27.08.2010. SU 1358777 А1, 20.06.1996. RU 2134466 С1, 10.08.1999. ЕР 1095545 В1, 22.09.2004. JP 2006-344686 А, 21.12.2006.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Изобретатели:
Гусев Валентин Константинович (RU) Негин Алексей Викторович (RU) Андреева Татьяна Геннадьевна (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей. Технический результат - упрощение технологии изготовления микросхем и повышение их надежности. Достигается тем, что в способе изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем, включающем поочередное вакуумное нанесение на подложку проводниковых слоев с последующим созданием рисунка схемы методом фотолитографии, нанесение изоляционных слоев и формирование в них межуровневых соединений от одного проводникового слоя к другому путем вытравливания переходных окон в изоляции и пропыления их проводящим материалом, межуровневые соединения формируют путем пропыления переходных окон одновременно с напылением проводникового слоя соответствующего уровня и изготовлением рисунка схемы методом фотолитографии, причем межуровневые соединения формируют большего размера, чем размер переходных окон в плане. В каждом последующем изоляционном слое вытравливают переходные окна большего размера, чем в предыдущем. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента